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LED驱动电源模块化设计技术

来源:发表时间:2020-08-22 11:23:34浏览量:38

LED驱动电源外延材料成核且黏附性强:化学稳定性好,即在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀:热学性能好,包括导热性好和热失配度小:光学性能好,即制作的器件所发出的光被衬底吸收小;机械性能好,即容易加工,包括减薄、抛光和切制等:价格低廉;大尺寸,一般要求直径不小于2in (lin = 25.4mm)。



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LED驱动电源外延材料成核且黏附性强:化学稳定性好,即在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀:热学性能好,包括导热性好和热失配度小:光学性能好,即制作的器件所发出的光被衬底吸收小;机械性能好,即容易加工,包括减薄、抛光和切制等:价格低廉;大尺寸,一般要求直径不小于2in (lin = 25.4mm)。


目前常用的村底材料有蓝宝石(AL20,)、 硅(5)和碳化硅(SIC)等,但其在导热性和稳定性等方面尚有不足。未来可能的新型衬底材料包括氨化馆(GaN) 。氧化锌(Zn0)、侣酸锂(LAIO) 等。氮化馆是氯化镓外延生长的理想衬底,可提高外廷质量,降低位错密度,提高寿命、光效、工作电流密度:氧化锌与氮化球外延品体结构相同,禁带宽度接近,但缺点是在外延生长环境中易分解和腐蚀;铝酸锂与氮化惊外延的品格不匹配率只有1.4%,但品体易挥发,强腐蚀,制备困难,


外延外延主要是在品圆衬底上生长缓冲层,N型层,量子阱、P型层、扩散层等结构,是半导体照明产业链中技术含量更高、对最终产品品质影响更大的环节,同时也是利润较为集中的环节。在一定程度上,外延的品质直接决定了后续芯片,封装及应用产品的品质和最终应用领域,


外延生长的主要方法包括液相外延沉积(UPE) 和气相外延汇积( MOCVD)。MOCVD系统是GaN基LED驱动电源外延生长的主要设备,技术含量非次",全球90%以上的市场被德国的AIXTRON和美国的VEECO所垄断。


外题的关键技术主要包括稳定少缺陷的生长工艺,与树底配合良好的PN结材料,具有良好内部量子效应效率的结构。 采用新工艺将改善外延片品体质量,如M面M,0上生长技术。横向外延过生长技术(EOC)等将降低极化电场的影响,新型户型排杂技术将提高P型载流子浓度与迁移率:采用新结构(如多量子阱(MOW)等)将提高电光转换效率。m V族化合物能较好地满足PN结对半导体材料的要求,日前AVCGa/In (阳离子)+Aw/P/N (阴离子)的二元,三元,四元化合物是LED驱动电源的基础材料,


芯片在外题片上制作四结电极,保护层、出光结构、然后经过分时,打磨,测试等,就制成了1D芯片,即品粒(do),芯片制造的关键技术是高出光结构,材料和制作工艺。采用新型高出光效率芯片结构, 如垂直结构、 光F品体等微结构,河视高侧向出光的利用,提高光输出效事。采用下 型CaN欧明楼独材料以及电极国形的优化设计,可使电流注人均匀,发光均匀,透光事高、


LED驱动电源封装将UD芯片涂围关尤粉,用次配光。 加固定结构,川塑料、陶党等村料进行封装,开引出概金引脚,再进行测试等名于儿理后,就制成了著件时装在视影响100各件的电,热,先和机械作的,还影响其可容性,成本及寿命。



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